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BC846BLT1G中文资料

BC846BLT1G图片

BC846BLT1G外观图

  • 大小:155.3KB
  • 厂家:ON Semiconductor
  • 描述: TRANSISTOR, NPN, 65V, 0.1A, SOT23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:65V; Power Dissipation Pd:300mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:450; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Collector Emitter Voltage Vces:200V; Current Ic Continuous a Max:100mA; Gain Bandwidth ft Typ:100MHz; Hfe Min:450; Package / Case:SOT-23; Power Dissipation Pd:300mW; Termination Type:SMD; Transistor Type:General Purpose
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:晶体管(BJT) - 单路
  • 系列:-
  • 晶体管类型:NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):65V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):600mV @ 5mA,100mA
  • 电流 - 集电极截止(最大):-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):200 @ 2mA,5V
  • 功率 - 最大:225mW
  • 频率 - 转换:100MHz
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236)
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:BC846BLT1GOSTR

BC846BLT1G供应商

更新时间:2022-12-31 05:55:28
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